在微電子半導(dǎo)體集成電路,薄膜混合集成電路, 片式元器件,特別是光盤(pán)、磁盤(pán)及液晶平面顯示器 LCD等技術(shù)領(lǐng)域 需使用各種性能各異,要求不同的濺射靶材,例如各種光碟、液晶顯示器LCD及LSI等的產(chǎn)品數(shù)量已十分巨大,僅以我國(guó)臺(tái)灣為例, 其CD -R 在1999年就生產(chǎn)約17.7億片,2000年的產(chǎn)量將達(dá)到47億片,CD-RW片2000年將達(dá)到18 億片,DV用碟片2000年也將超過(guò)1億片,TFT-LCD的產(chǎn)值20 00 年預(yù)計(jì)將達(dá)到900億臺(tái)幣。 在這些電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中,均須采用多種濺射技術(shù),濺射單層或多層各種不同材質(zhì)的金屬、半導(dǎo)體或非金屬薄膜,以達(dá)到產(chǎn)品的功能要求 本文對(duì)靶材的制備工藝特性及其在資訊產(chǎn)業(yè)方面的應(yīng)用作一簡(jiǎn)要介紹,供廣大學(xué)習(xí)交流。
靶材的種類與應(yīng)用
靶材的種類按其組成可分為純金屬、合金和化合物靶材三大類。表1 示出了靶材材質(zhì)的種類,這些不同性質(zhì)的靶材在各種產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用情況,歸結(jié)起來(lái)如表2所示。
表1 靶材種類
分類 | 組成 |
純金屬 | Al, Au, Cr , Co, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta…… |
合金 | Ni-Cr , Co-Ni, Co-Cr , Tb -Fe-Co, Gd-Fe-Co, M o-W , Cr -Si·-- |
化合物 | 氧化物,硅化物, 碳化物,硫化物… |
表2 濺射靶材在各種產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
領(lǐng)域 | 使用靶材 |
微電子 | 鋁合金
(4N - 6N) | A I, A I- Si, A I-C u, A I- T i, A I- Si-C u, A !-S i-Pd, A 1- S i- T i, |
硅化物(5N ) | M o-S i,W -S i, Ti-Si, |
金(SN ) | A u, A u , A u- Sn, A u -Ge |
鎳(4N ) | Ni Ni-Cr |
高熔點(diǎn)金屬
(3N -6N) | M o-W , T i-W |
硅 | 加p 硅,加N 硅 |
銘(3N) | C r, C r-S i |
鉅 (3N - ('N ) | Ta |
銅(4N-('N ) | C u |
鈦(4N -5N ) | Ti |
磁記錄 | 鉆(3N ) | Co-N t, Co-N 1-C r, Co-C r-T a, Co-C 廣
P t, Co-C r |
鎳 | Ni-Fe |
鐵合金 | Fe-Co Fe-,S -A I Fe-Ga-St |
鉻(3N -4N ) | Cr |
光碟 | 啼 硒(4N ) | T e, Se, T b- Fe-Co, Dy -T b- Fe-Cb,
N d-D y- Fb-Co, Gd-T b-Fe -Co, D y- Fe- Co |
稀土-遷移
金屬(3N ) | T b-Fe, T b-Fe-Co, D y-T b-Fe -Co, Dy-
Fe-Co, N ct-D y-Fb-Co Gd-T b-Fe-Co,
D v-Fe七o |
貴金屬 | 金銀
(4N -5N ) | A u, Ag |
白金靶
(4N) | Pt , Pd |
簿膜電阻 | 鎳合金(3N ) | N 1-C r, N 1-C r-S t, N 1-C r-A l, N i-C u |
鉭(3N -(N ) | T a, T a-A I |
鉻 (3N ) | C r-S t |
導(dǎo)電膜 | 銦(4N) | In -Sn , InO 2- SnO 2 |
表而改性 | 鈦、鋯(3N) | T i, Ti-A l, Zr, C r, V , Hf |
光罩層 | (3N) | Cr, Ta |
裝飾層 | (2N) | N i-T i-A I, Ti-A I-V , C r-M o-N i, Zr, Cr |
EL 電極 | (4N) | ZnS |
LCD 電極 | (3N - 4N ) | Ta |
其它 | 氧化物
(3N) | Y-Ba-Cu -0 , B i-S r-Ca -Cu -0 , T i-Ba -
Ca-C u-0 ,…… |
石英(5N ) | SD 2 |
硅 | S1- Y-A I-O -N , SixO v |
鈦鋯 | T N , T aN |
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