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國(guó)內(nèi)外鉬鈮合金靶材的研究、制備方法、應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020-01-15 21:01:16 瀏覽次數(shù) :

一、鉬鈮合金靶材的研究進(jìn)展

在電子行業(yè)中,為了提高濺射效率和確保濺射薄膜的質(zhì)量,要求 Mo-Nb濺射靶材有高純度、高致密度、晶粒細(xì)小及尺寸分布均勻、結(jié)晶取向一致等特性。劉等 [58-59] 報(bào)道,Mo-Nb 合金靶材的純度越高,濺射薄膜的性能越好。一般鉬濺射靶材的純度至少需要達(dá)到 99.95%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),而且隨著 LCD 行業(yè)玻璃基板尺寸的不斷提高,要求配線的長(zhǎng)度延長(zhǎng)、線寬變細(xì),為了保證薄膜的均勻性以及薄膜的質(zhì)量,要求的鉬濺射靶材的純度也相應(yīng)提高。

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肖等 [60] 研究表明濺射靶材作為濺射中的陰極源,固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。此外,在電子行業(yè)中,由于堿金屬離子(Na + ,K + )易在絕緣層中成為可移動(dòng)性離子,降低元器件性能;夏等 [61] 的研究表明在磁控濺射過程中鈾和鈦等元素會(huì)釋放α射線,

造成器件產(chǎn)生軟擊穿,鐵、鎳離子會(huì)產(chǎn)生界面漏電及氧元素增加等。因此,在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中,需要嚴(yán)格控制這些雜質(zhì)元素,最大限度地降低其在靶材中的含量。

鐘等 [62] 研究表明在濺射鍍膜的過程中,致密度較小的濺射靶材受轟擊時(shí),由于靶材內(nèi)部存在孔隙,突然釋放的氣體會(huì)對(duì)沉積顆粒造成影響,或?qū)Τ练e薄膜造成二次電子轟擊。這種情況大大影響了薄膜的品質(zhì)。為了減少靶材固體中的孔隙以提高薄膜性能,所以要求提高濺射靶材的致密度。李等 [63-64] 報(bào)道,對(duì) Mo-Nb 合金濺射靶材而言,其相對(duì)致密度應(yīng)該在 98%以上。

王等 [65-66] 報(bào)道,通常 Mo-Nb 合金濺射靶材的晶粒大小一般為微米到毫米量級(jí)。劉等 [67] 試驗(yàn)研究表明,靶材晶粒越細(xì)小其濺射的速率越大,這是由于晶界處的原子激活能低,受到轟擊時(shí)優(yōu)先濺射沉積,而且尺寸分布均一的濺射靶材,其濺射薄膜的厚度分布也比較均勻。

侯等 [68] 在研究中表明由于濺射時(shí)靶材原子容易從原子密排面濺射出來,因此為提高濺射速率,通常把靶材結(jié)構(gòu)改變?yōu)檠孛芘啪鎿駜?yōu)取向。俞等 [69] 研究結(jié)果表明 Mo-Nb 合金靶材一般沿(110)晶面擇優(yōu)取向。此外,靶材的結(jié)晶方向?qū)R射膜層的厚度均勻性影響也較大,所以為了提高薄膜的濺射速率需要取得一定結(jié)晶取向的靶材結(jié)構(gòu)。

二、鉬鈮的制備方法

關(guān)于Mo-Nb合金靶材的制備方法,目前主要是采用熔煉鑄造法、濕氫燒結(jié)法和熱等靜壓(HIP),在 Mo-Nb 合金靶材的制備過程中,不僅要嚴(yán)格控制 Mo-Nb 合金靶材的純度、致密度以及結(jié)晶取向,還需保證熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程來控制靶材的質(zhì)量。

(1)熔煉鑄造法

熔煉鑄造法是通過將一定比例的 Mo-Nb 合金熔融之后在模具中形成鑄錠,再將鑄錠機(jī)械加工和軋制處理,用來改善 Mo-Nb 合金靶材的致密度和晶粒尺寸。其在制備過程中,為了保證鑄錠中雜質(zhì)元素含量低,需要整個(gè)過程在真空或保護(hù)性氣氛下進(jìn)行。相比于粉末冶金法生產(chǎn)的Mo-Nb 合金靶材,其靶材雜質(zhì)含量低、致密度高。但實(shí)際鑄造制備的 Mo-Nb 合金靶材中難以避免材料內(nèi)部的孔隙,這些孔隙容易造成濺射中微粒的飛濺,其對(duì)濺射薄膜質(zhì)量有一定的影響 [70] 。

(2)濕氫燒結(jié)法

濕氫燒結(jié)法是將一定比例的 Mo-Nb 混合粉末成型壓坯,再將壓坯放入燒結(jié)爐中燒結(jié)致密化的一種方法 [71] 。燒結(jié)過程中通入氫氣進(jìn)行保護(hù),其燒結(jié)溫度為 2000~2200℃,約為其熔點(diǎn)的 70%。

通過該方法制備的 Mo-Nb 合金靶材雜質(zhì)含量低、晶粒分布均勻,但面臨致密度低的問題。

(3)熱等靜壓法

熱等靜壓法是把混合均勻的 Mo 粉和 Nb 粉裝入特制的鉬包套內(nèi)置于熱等靜壓機(jī)的高壓容器中,在高溫和高壓環(huán)境下使得 Mo-Nb 合金燒結(jié)致密化的過程。該方法獲得的 Mo-Nb 合金靶材晶粒均勻細(xì)小,消除了靶材內(nèi)部顆粒間的缺陷和孔隙,提高了其致密度,而且降低了燒結(jié)溫度 [72] 。

但是其對(duì)設(shè)備要求高,而且其生產(chǎn)成本也高。

三、鉬鈮合金靶材的應(yīng)用

通過粉末冶金的方法制備的 Mo-Nb 合金靶材后期需要經(jīng)過不同的處理(鍛造、軋制和擠壓)來獲得不同性能的 Mo-Nb 合金靶材。

鍛造Mo-Nb合金靶材主要用于CT靶的制造。碟形Mo-Nb合金靶主要作為X射線管的旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極。

因?yàn)樗氖褂铆h(huán)境在是高真空、高速度旋轉(zhuǎn)和高溫的條件下,需要經(jīng)受高壓電子的轟擊,所以對(duì)靶面不僅要求有良好電特性,而且得具備良好的高溫強(qiáng)度、抗沖擊性能和耐熱性能[73],并要求無氣孔存在,以免射線發(fā)生折射和散射,影響CT機(jī)成像的清晰度和準(zhǔn)確度。為此,在制造Mo-Nb合金靶材時(shí),對(duì)其致密度要求較高。

軋制Mo-Nb合金靶材材主要用于平面顯示器行業(yè)中的TFT-LCD(Thin film transistor- Liquidcrystal display)領(lǐng)域 [74] 。由于Mo具有優(yōu)良的電導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性,使得其被用作TFT制造中的電極、布線材料和阻擋層材料。

與平面 Mo-Nb 合金靶材相比,旋轉(zhuǎn) Mo-Nb 合金靶結(jié)構(gòu)具有其實(shí)質(zhì)性優(yōu)點(diǎn),旋轉(zhuǎn)靶的利用率遠(yuǎn)高于平面靶,旋轉(zhuǎn)靶如圖 1-4 所示 [75] 。 靶的壽命即為濺射功率乘以濺射時(shí)間。 從平面靶材到旋轉(zhuǎn)靶材幾何結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)的改變使得靶材的利用率從 20%到 30%增加到 80%。此外,旋轉(zhuǎn)靶材的壽命一般是平面靶材的 5 倍。 而且由于旋轉(zhuǎn)靶在濺射過程中會(huì)不停地旋轉(zhuǎn),因此其表面不產(chǎn)生重沉積現(xiàn)象 [76] 。

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