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凱澤金屬談鉬靶材的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-04-28 20:45:10 瀏覽次數(shù) :

在生活中我們無(wú)意間會(huì)運(yùn)用到很多工業(yè)產(chǎn)品,比如我們車輛用到的閘輪和剎車片都有鉬靶材的材料,鉬在我很多地方都有礦廠在采集,它也是我們?nèi)梭w和動(dòng)物必不可少的微量元素,現(xiàn)在社會(huì)的發(fā)展,工業(yè)的發(fā)達(dá),利用鉬這種過(guò)度元素越來(lái)越多;鉬靶材就是鉬的變身,它可分為很多種例如:寬幅鉬靶材,平面鉬靶,旋轉(zhuǎn)鉬靶材,鉬靶材,鉬合金靶等。凱澤金屬結(jié)合多年的不同金屬靶材深加工經(jīng)驗(yàn),結(jié)合相關(guān)資料,將各類鉬靶材的應(yīng)用,分享如下:

一、寬幅鉬靶材的構(gòu)成情況及用途:

1、寬幅鉬靶材又叫超寬高純鉬靶是AMOLED面板生產(chǎn)中的關(guān)鍵原材料之,該公司的新產(chǎn)品是適用于TFT-LCD/AMOLED的超寬高純高密鉬平面濺射靶材,主要應(yīng)用于G2.5-G6代TFT-LCD/AMOLED,填補(bǔ)了內(nèi)寬幅鉬靶(1800mm)空白,對(duì)公司未來(lái)的市場(chǎng)拓展、業(yè)績(jī)成長(zhǎng)產(chǎn)生重要影響。

2、濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,般要求:尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。

3、磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式,相比于蒸發(fā)鍍膜方式,其在很多方面有相當(dāng)明顯的優(yōu)勢(shì)。作為項(xiàng)已經(jīng)發(fā)展的較為成熟的技術(shù),磁控濺射已經(jīng)被應(yīng)用于許多域。

4、濺射技術(shù),濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、太陽(yáng)能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。

5、濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

6、濺射靶材根據(jù)形狀可分為方靶,圓靶,異型靶,根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材,根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等,根據(jù)應(yīng)用域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電靶材、封裝靶材、其他靶材,磁控濺射原理:在被濺射的靶(陰)與陽(yáng)之間加個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng),在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場(chǎng),同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有定的負(fù)高壓,從靶發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射般分為二種:支流濺射和射頻濺射,其中支流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單,在濺射金屬時(shí),其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛,除可濺射導(dǎo)電材料外,也可濺射非導(dǎo)電的材料,同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

7、磁控濺射鍍膜靶材:金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材 ,氮化物陶瓷濺射靶材 ,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材 ,硅化物陶瓷濺射靶材 ,硫化物陶瓷濺射靶材 ,碲化物陶瓷濺射靶材 ,其他陶瓷靶材,摻鉻氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),砷化鉛靶材(PbAs),砷化銦靶材(InAs)。

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二、旋轉(zhuǎn)鉬靶材的構(gòu)成情況:

1、旋轉(zhuǎn)靶材是磁控的靶材。靶材做成圓筒型的,里面裝有靜止不動(dòng)的磁體,以慢速轉(zhuǎn)動(dòng)。

2、濺射靶材用于磁控濺射鍍膜,濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜(PVD)方式。

3、在被濺射的靶(陰)與陽(yáng)之間加個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng),在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),在電場(chǎng)的作用下,Ar氣電離成正離子和電子, 靶上加有定的負(fù)高壓,從靶發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面, 以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。

4、旋轉(zhuǎn)靶材用途,太陽(yáng)能電池,建筑玻璃,汽車玻璃,半導(dǎo)體,平板電視等。

三、鉬靶材的應(yīng)用:

1、鉬靶:密度10.2克/立方厘米。熔點(diǎn)2610℃。沸點(diǎn)5560℃。

2、鉬靶材純度:99.9% ,99.99%

3、規(guī)格:圓形靶,板靶,旋轉(zhuǎn)靶

4、鉬靶材廣泛用于導(dǎo)電玻璃、STN/TN/TFT-LCD、光學(xué)玻璃、離子鍍膜等行業(yè),適用所有平面鍍膜及旋轉(zhuǎn)鍍膜系統(tǒng)。

5、純度:純鉬≥99.95%,高溫鉬≥99%(添加稀土元素)

6、密度:≥10.2g/cm3

7、熔點(diǎn):2610℃

8、供貨狀態(tài):成品態(tài)

9、規(guī)格:根據(jù)客戶要求定制

10、生產(chǎn)工藝流程:鉬坯(原材料)-檢驗(yàn)-熱軋--堿洗-冷軋-校平-機(jī)械加工-檢驗(yàn)-包裝

11、鉬材料適用環(huán)境:真空環(huán)境或惰性氣體保護(hù)環(huán)境,純鉬較高耐高溫1200度,鉬合金較高耐高溫1700度。

12、鉬材料的適用行業(yè)及用途:鉬材料主要用在真空高溫行業(yè),電子行業(yè),藍(lán)寶石熱場(chǎng)及航空航天制造行業(yè)等,鉬材料經(jīng)過(guò)變形量達(dá)到60%以上的軋制加工后,鉬的密度基本上接近于理論密度,因此其具有高強(qiáng)度,內(nèi)部組織均勻和優(yōu)良的抗高溫蠕變性能,被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的反射屏,蓋板真空爐內(nèi)的反射屏,發(fā)熱帶,連接件,等離子鍍膜用的濺射靶材,耐高溫舟皿等制品。

13、鉬靶材的用途

鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)相關(guān)信息在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞應(yīng)用等。

鉬靶材的應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛,它的原材料是粉末狀的,經(jīng)過(guò)凱澤金屬一系列的生產(chǎn)制造,把它變成了現(xiàn)在的鉬靶材工藝品,運(yùn)用到我們的生活中,給我們的生活帶來(lái)了更多的便利,讓我們生活質(zhì)量不斷的提升,感謝科學(xué)和大自然的力量,給我們提供無(wú)盡的寶藏,我們更要愛(ài)護(hù)好我們的生存環(huán)境,與它和諧的生活在起,共建美好的家園。

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