超高純金屬鎢(即純度達到99.9999% 以上)具有電阻率低、導(dǎo)熱系數(shù)高、高溫穩(wěn)定性好、抗電子遷移能力強等特性,廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路[1,2]。鎢靶材通常以磁控濺射等方式沉積于單晶硅片表面,形成高傳導(dǎo)性互連線、不同金屬層間的互連通孔、垂直接觸通孔中的填充物以及硅和鋁間的隔離層[3,4]。因此,鎢靶材的致密度和晶粒尺寸直接影響到沉積薄膜的性質(zhì)。如,靶材中孔隙率過高導(dǎo)致Arcing 風(fēng)險增加[5,6] ;靶材晶粒尺寸越小,成膜均勻性越好[7]。先進技術(shù)節(jié)點要求鎢濺射靶材的致密度需達到99.5% 以上,晶粒尺寸≤ 100μm[8]。
當(dāng)前,電子級超高純鎢靶材被外企所壟斷。如美國Praxair 公司[9] 結(jié)合冷等靜壓和熱等靜壓技術(shù),通過冷等靜壓制坯后、熱等靜壓進一步致密化,獲得相對密度≥ 99% 的靶坯。美國Tosoh 公司[10] 采用熱等靜壓工藝制備得到相對密度為≥ 95% 的燒結(jié)坯,再通過高溫?zé)彳埆@得完全致密化的鎢板材。日本Nikko Materials 公司[11] 則采用熱壓燒結(jié)制備燒結(jié)坯,其相對密度可達95.9% ;繼而通過熱等靜壓燒結(jié)2h,板坯的相對密度達到99.5% 以上。
本工作擬結(jié)合熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié),研究燒結(jié)溫度和燒結(jié)壓力對超高純鎢坯體的致密化行為的影響,優(yōu)化出最佳的熱壓和熱等靜壓工藝參數(shù)組合,實現(xiàn)超高純鎢坯體的近完全致密化。
1、實驗材料和方法
本研究選取普通仲鎢酸銨(APT)為原料制取的超高純鎢粉,鎢粉體的純度達到99.9995% 以上,符合高純鎢濺射靶材的使用需求。采用掃描電子顯微鏡(SU3500,日本Hitachi 公司)觀察超高純鎢粉體的形貌,如圖1(a)所示。
粉體呈規(guī)則的球狀,最大粒徑顯著小于10μm。采用激光粒度儀(Mastersizer 2000)詳細(xì)分析鎢粉體的粒徑分布,其結(jié)果如圖1(b)所示。粉體的粒徑介于1μm~20μm,平均
粒徑為5.180μm。
為實現(xiàn)大尺寸鎢靶坯的近全致密化( 致密度大于99.5%),采用兩階段燒結(jié)工藝。第一階段為熱壓燒結(jié),獲得一定致密度的坯體;然后第二階段熱等靜壓燒結(jié)實現(xiàn)坯體的近全致密化。采用金相顯微鏡觀察并測量樣品的晶粒尺寸;采用掃描電子顯微鏡對燒結(jié)樣品的顯微形貌及孔隙率進行觀察;采用Archimedes 排水法對燒結(jié)體的致密度進行測定,并通過日本Mitutoyo 維氏硬度試驗機測定燒結(jié)體的顯微硬度。
2、結(jié)果分析與討論
2.1 一次熱壓燒結(jié)
本工作選取1800/1850/1950 ℃ 系列燒結(jié)溫度、30/40/50MPa 系列燒結(jié)壓力,旨在探索不同燒結(jié)溫度和燒結(jié)壓力對超高純鎢坯體的致密化行為的影響。
2.1.1 燒結(jié)溫度對坯體致密化的影響
圖2(a)-(f)為燒結(jié)壓力30MPa、保溫時間3h 條件下不同燒結(jié)溫度鎢坯體的致密化行為演變。1800℃溫度下坯體晶粒呈等軸狀,平均晶粒尺寸為16.74μm。原料鎢粉的平均粒徑為5.18μm,固相燒結(jié)過程中,粉體界面遷移、晶粒長大,晶粒尺寸約為粒徑的4 倍,晶粒并未發(fā)生急劇長大。
并且,在晶粒界面、三叉晶界處觀察到大量的細(xì)微空洞,相對密度僅為94.8%。當(dāng)燒結(jié)溫度升高至1850℃時,晶粒顯著長大,平均晶粒尺寸為40.99μm,約為原料鎢粉粒徑的10
倍。坯體的致密度略有增加,而在晶界處發(fā)現(xiàn)較大尺寸的空洞。顯然,隨著燒結(jié)溫度由1800℃提高至1850℃,晶粒急劇長大,晶界處的細(xì)微空洞一部分隨著晶界的遷移而消失,
另一部分則互相融合成大的空洞而殘留在晶界處。進一步提高燒結(jié)溫度至1950℃,晶粒繼續(xù)長大至52.53μm,坯體的致密度達到97.1%。隨著晶界處原子擴散和界面遷移,晶界
處殘留的大空洞消失,僅在三叉晶界處殘留少量的細(xì)微空洞。
圖2(g)-(h)描述了晶粒尺寸和致密度隨著不同燒結(jié)溫度的演化趨勢。在整個溫度區(qū)間內(nèi),致密度呈線性增加。
然而,當(dāng)溫度由1800℃提高至1850℃時,晶粒尺寸急劇增加;進一步升高燒結(jié)溫度,晶粒長大趨勢顯著放緩。1800℃對應(yīng)坯體的硬度最高,這源于細(xì)晶強化作用。升溫至850℃
時,盡管坯體致密度增加了,但是晶粒急劇長大,導(dǎo)致燒結(jié)體的硬度降幅達6%。當(dāng)溫度升至1950℃時,致密度持續(xù)增加而晶粒尺寸增長放緩,燒結(jié)體整體硬度增加了5%。
2.1.2 燒結(jié)壓力對坯體致密化的影響
如2.1.1 所述,增加燒結(jié)溫度有助于改善致密度,但是晶粒尺寸會持續(xù)長大。因此本工作選定燒結(jié)溫度為1800℃,通過調(diào)整燒結(jié)壓力來進一步探索燒結(jié)壓力對致密度和晶粒尺寸的影響規(guī)律。
圖3(a)-(f)為燒結(jié)溫度1800℃、保溫時間3h 條件下不同燒結(jié)燒結(jié)壓力鎢坯體的致密化行為演變。當(dāng)燒結(jié)壓力由30MPa 增至50MPa 時,燒結(jié)體的晶粒并未發(fā)生明顯長大,
表明燒結(jié)壓力對提高晶界遷移驅(qū)動力的作用有限。然而,燒結(jié)壓力能夠顯著改善致密度。30MPa 壓力下坯體的致密度為94.8%,晶界處觀察到大量相對較大的空洞;當(dāng)壓力提高
至40MPa 時,致密度增加至96.4%,晶界處的空洞顯著降低;進一步提高燒結(jié)壓力至50MPa 時,致密度達到98.2%,晶界處殘留相對細(xì)微的空洞。
圖3(g)-(h)描述了晶粒尺寸和致密度隨著不同燒結(jié)壓力的演化趨勢。在整個壓力區(qū)間內(nèi),晶粒尺寸由16.74μm 增至17.57μm,增幅5% ;而致密度線性增加至98.2%。相應(yīng)地,燒結(jié)體的顯微硬度由350.2HV 增加至419.3HV,這主要得益于致密度的顯著提升。
綜上所述,增加燒結(jié)壓力能夠顯著改善鎢燒結(jié)體的致密度、提高顯微硬度,同時避免晶粒急劇長大。熱壓燒結(jié)溫度1800℃、燒結(jié)壓力50MPa、保溫時間3h 工藝參數(shù)下,鎢燒結(jié)體的晶粒尺寸僅為17.57μm,致密度達到98% 以上,為二次熱等靜壓燒結(jié)實現(xiàn)近全致密化奠定了基礎(chǔ)。
2.2 二次熱等靜壓燒結(jié)
如3.1 所述,當(dāng)溫度達到1850℃時,晶粒尺寸急劇長大。
因此,二次熱等靜壓燒結(jié)中,選擇燒結(jié)壓力為200MPa,研究不同燒結(jié)溫度對坯體致密化的影響。
圖4(a)為一次熱壓燒結(jié)鎢坯體的金相照片(1800℃ -50MPa-3h)。坯體的晶粒尺寸為17.57μm,致密度為98.2%。一次熱壓燒結(jié)鎢坯體后續(xù)進行二次熱等靜壓燒結(jié)。當(dāng)溫度不超過1800℃時,燒結(jié)體的晶粒尺寸略微增至19.43μm,而致密度顯著增加至99.7%,達到近全致密水平。當(dāng)溫度進一步升高,晶粒急劇長大至50μm 以上,致密度為100%,實現(xiàn)完全致密。
3、結(jié)論
本工作采用一次熱壓燒結(jié)和二次熱等靜壓燒結(jié),研究了燒結(jié)溫度、燒結(jié)壓力對超高純鎢坯體的致密化行為,基本結(jié)論如下:
(1)提高燒結(jié)壓力不會明顯導(dǎo)致鎢坯體的晶粒粗化,然而燒結(jié)溫度對鎢坯體晶粒尺寸影響顯著。當(dāng)溫度不超過1800℃時,晶粒不發(fā)生明顯長大;當(dāng)溫度超過1850℃時,晶粒急劇粗化。該行為與燒結(jié)壓力無明顯相關(guān)性。
(2)提高燒結(jié)溫度和燒結(jié)壓力有助于鎢坯體的致密化行為。
(3)采用二次燒結(jié)工藝制備出近全致密高純鎢靶材的致密度達97%,晶粒尺寸19.43μm,達到面向12 英寸晶圓用先進制程的技術(shù)需求。
參考文獻:
[1] 鄭艾龍, 吳傳露, 楊益航, 等. 高純鎢的制備及粒度影響研究[J]. 中國鎢業(yè),2019,34(6):61-68.
[2] 劉文迪. 集成電路用鎢濺射靶材制備技術(shù)的研究進展[J]. 中國鎢業(yè),2020,35(1)36-41.
[3] So F C T,Kolawa E,Zhao X-A,et al.WNx:Properties and applications.Thin Solid Films,1987,153:507-520.
[4] Mogro‐Campero A.Simple estimate of electromigration failure in metallic thin films.J.Appl.Phys.,1982,53(2):1224-1225.
[5] Whittaker P,Williams N.Sputtering targets:The advantages of powder metallurgy in the production process.Powder Metall. Review,2018,7:73-87.
[6] Lo C-F,McDonald P,Draper D,et al.Influence of tungsten sputtering target density on physical vapor deposition thin film
properties.J.Electron.Mater.,2005,34(12):1468-1473.
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